摘要：通过基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构及光学性质进行了研究。FAPbBrI2是带隙值为1.58 eV的直接带隙半导体材料，通过构建SnO2(110)和FAPbBrI2(001)的界面模型，其晶格失配率为4.28%，界面结合能为-0.116 eV/?2，说明此界面结构可以稳定存在。通过态密度(DOS)分析SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构，发现了主要由界面处O 2p、I 5p、Br 4p、Pb 6p轨道电子杂化形成的界面态。差分电荷密度及Bader电荷分析说明在界面处存在明显的电荷转移，这促进了界面处原子之间的成键，提高了界面稳定性。同时，有效的电荷分离也使SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的光吸收系数相比于SnO2(110)表面和FAPbBrI2(001)表面有了明显提升。
文章目录
0 引 言
1 模型与计算方法
2 结果与讨论
2.1 体相FAPbBrI2的电子结构
2.2 FAPbBrI2(001)面和SnO2(110)面的几何结构
2.3 SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面模型的几何结构
2.4 SnO2(110)/FAPbBrI2 (001)界面的稳定性分析
2.5 SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构分析
2.6 SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的光学性质分析
3 结 论
