摘要：硅通孔（TSV）是三维（3D）集成中的关键互连技术。采用博世（Bosch）工艺刻蚀TSV，尤其是亚微米直径的TSV时，侧壁产生的扇贝纹会引起TSV中的应力集中。利用有限元单元生死技术分析亚微米TSV制造过程中的应力变化，并对应力的影响因素进行了分析。研究了TSV节距、扇贝纹高度和宽度、阻挡层材料参数、工艺温度和工作温度等因素对TSV内部应力的影响，并选择了4个主要因素进行正交试验分析。研究结果表明，减小扇贝纹宽度、增大扇贝纹高度、降低工艺温度均能有效缓解扇贝纹附近的应力波动幅度，其中扇贝纹宽度对应力波动的影响最大。通过上述分析，对影响亚微米TSV应力的主要因素进行了排序，从而为TSV 制造过程中的参数优化提供了指导。
文章目录
0 引言
1 有限元分析模型
1.1 模型建立
1.2 分析方法
2 影响TSV应力的参数化分析
2.1 TSV节距的影响
2.2 扇贝纹高宽比的影响
2.3 阻挡层材料的CTE和杨氏模量的影响
2.4 工艺温度与工作温度的影响
3 正交试验分析
4 结论
