摘要：硅通孔（TSV）是实现三维集成的关键技术，在TSV侧壁制备连续和均匀的阻挡层至关重要。提出了一种磁控溅射制备TSV侧壁阻挡层的方法，将溅射基台倾斜一定角度并水平匀速旋转，使溅射离子的掉落方向与TSV侧壁不平行，靶材离子更容易溅射沉积在TSV侧壁，使得TSV侧壁都能被溅射到，更有利于制备连续和均匀的阻挡层。使用Ti靶进行直流磁控溅射，优化溅射电流和溅射气压，通过扫描电子显微镜（SEM）对TSV侧壁阻挡层的形貌进行表征分析。随着溅射电流和溅射气压的增大，阻挡层的厚度会增加，但是溅射气压的增大使得溅射钛晶粒变得细长，从而导致阻挡层的均匀性和致密性变差。
文章目录
0 引言
1 实验
1.1 实验方案设计
1.2 实验条件
2 结果与讨论
2.1 溅射电流对TSV侧壁Ti阻挡层制备的影响
2.2 溅射气压对TSV侧壁Ti阻挡层制备的影响
3 结论
