微纳米尺度温度测量在芯片的设计、制造和封装过程中至关重要，旨在提供微小尺度区域的高精度温度信息，反映出芯片的发热情况。然而现有的测温技术无法满足芯片性能日益提升的需求，例如以热电偶等为代表的接触式测温具有较高的测量精度，但其响应速率慢难以实现宽场热成像；以红外辐射等为代表的非接触式测温可实现芯片表面的快速热场测量，但测温精度较低、空间分辨率受到波长的限制。因此传统测温方法难以同时满足高精度、微纳米尺度的快速温度测量，亟需寻求新的测温技术。随着量子精密测温技术的发展，基于固态量子自旋效应的金刚石氮-空位（Negatively charged nitrogen-vacancy,NV-）色心测温技术有望解决以上问题，突破现有微纳米尺度测温在芯片研制方面的应用瓶颈。鉴于此首先综述对比了现有芯片用测温技术的特点和发展现状，而后调研分析了金刚石NV色心测温计量特性及小型化、集成化技术发展趋势，并展望了金刚石NV色心测温在芯片研制领域的技术优势和应用前景，提出其发展面临的挑战。
