摘要：电磁波强衰减材料是解决电磁污染、保护人类身体健康和提高电子设备兼容性的重要途径。本工作研究了Sm掺杂对SiBCN复合陶瓷的显微结构和介电性能的影响，并分析了电磁波的衰减机制。结果表明，Sm促进了SiBCN陶瓷中SiC、SiCN等电介质晶体的生成，这些电介质提高了陶瓷对微波的衰减性能。当陶瓷厚度为2 mm时，最低反射损耗在17.36 GHz处达到了–40.00 dB，有效吸收带宽为5.12 GHz。本工作为制备具有强电磁波损耗的聚合物陶瓷提供了新策略。
文章目录
1 实验
1.1 样品制备
1.1.1 聚硼硅氮烷的合成过程
1.1.2 SiBCN陶瓷化
1.2 样品表征
2 结果与讨论
2.1 Sm掺杂量对SiBCN陶瓷物相组成的影响
2.2 SiBCN陶瓷的抗氧化性能
2.3 介电性能
3 结论
